做XRD有什么用途啊，能看出其純度?還是能看出其中含有某種官能團?
X射線照射到物質(zhì)上將產(chǎn)生散射。晶態(tài)物質(zhì)對X射線產(chǎn)生的相干散射表現(xiàn)為衍射現(xiàn)象，即入射光束出射時光束沒有被發(fā)散但方向被改變了而其波長保持不變的現(xiàn)象，這是晶態(tài)物質(zhì)特有的現(xiàn)象。
絕大多數(shù)固態(tài)物質(zhì)都是晶態(tài)或微晶態(tài)或準晶態(tài)物質(zhì)，都能產(chǎn)生X射線衍射。晶體微觀結(jié)構(gòu)的特征是具有周期性的長程的有序結(jié)構(gòu)。晶體的X射線衍射圖是晶體微觀結(jié)構(gòu)立體場景的一種物理變換，包含了晶體結(jié)構(gòu)的全部信息。用少量固體粉末或小塊樣品便可得到其X射線衍射圖。
XRD(X射線衍射)是目前研究晶體結(jié)構(gòu)(如原子或離子及其基團的種類和位置分布，晶胞形狀和大小等)最有力的方法。
XRD 特別適用于晶態(tài)物質(zhì)的物相分析。晶態(tài)物質(zhì)組成元素或基團如不相同或其結(jié)構(gòu)有差異，它們的衍射譜圖在衍射峰數(shù)目、角度位置、相對強度次序以至衍射峰的形狀上就顯現(xiàn)出差異。因此，通過樣品的X射線衍射圖與已知的晶態(tài)物質(zhì)的X射線衍射譜圖的對比分析便可以完成樣品物相組成和結(jié)構(gòu)的定性鑒定;通過對樣品衍射強度數(shù)據(jù)的分析計算，可以完成樣品物相組成的定量分析;
XRD還可以測定材料中晶粒的大小或其排布取向(材料的織構(gòu))...等等，應(yīng)用面十分普遍、廣泛。
目前XRD主要適用于無機物，對于有機物應(yīng)用非常非常少。
關(guān)于XRD的應(yīng)用，這里不多講，不妨再深入看看。
如何由XRD圖譜確定所做的樣品是準晶結(jié)構(gòu)?XRD圖譜中非晶、準晶和晶體的結(jié)構(gòu)怎么嚴格區(qū)分?
三者并無嚴格明晰的分界。
在衍射儀獲得的XRD圖譜上，如果樣品是較好的"晶態(tài)"物質(zhì)，圖譜的特征是有若干或許多個一般是彼此獨立的很窄的"尖峰"(其半高度處的2θ寬度在0.1°~0.2°左右，這一寬度可以視為由實驗條件決定的晶體衍射峰的"最小寬度")。如果這些"峰"明顯地變寬，則可以判定樣品中的晶體的顆粒尺寸將小于300nm，可以稱之為"微晶"。晶體的X射線衍射理論中有一個Scherrer公式，可以根據(jù)譜線變寬的量估算晶粒在該衍射方向上的厚度。
非晶質(zhì)衍射圖的特征是：在整個掃描角度范圍內(nèi)(從2θ 1°~2°開始到幾十度)只觀察到被散射的X射線強度的平緩的變化，其間可能有一到幾個最大值;開始處因為接近直射光束強度較大，隨著角度的增加強度迅速下降，到高角度強度慢慢地趨向儀器的本底值。從Scherrer公式的觀點看，這個現(xiàn)象可以視為由于晶粒極限地細小下去而導(dǎo)致晶體的衍射峰極大地寬化、相互重疊而模糊化的結(jié)果。晶粒細碎化的極限就是只剩下原子或離子這些粒子間的"近程有序"了，這就是我們所設(shè)想的"非晶質(zhì)"微觀結(jié)構(gòu)的場景。非晶質(zhì)衍射圖上的一個最大值相對應(yīng)的是該非晶質(zhì)中一種常發(fā)生的粒子間距離。
介于這兩種典型之間而偏一些"非晶質(zhì)"的過渡情況便是"準晶"態(tài)了。
在做X射線衍射時，如果用不同的靶，例如用銅靶或者Cr靶，兩者的譜圖會一樣嗎?如果不同的話，峰的位置和強度有啥變化嗎?有規(guī)律嗎?
不同的靶，其特征波長不同。衍射角(又常稱為Bragg角或2θ角)決定于實驗使用的波長(Bragg方程)。使用不同的靶也就是所用的X射線的波長不同，根據(jù)Bragg方程，某一間距為d的晶面族其衍射角將不同, 各間距值的晶面族的衍射角將表現(xiàn)出有規(guī)律的改變。因此，使用不同靶材的X射線管所得到的衍射圖上的衍射峰的位置是不相同的，衍射峰位置的變化是有規(guī)律的。
而一種晶體自有的一套d值是其結(jié)構(gòu)固有的、可以作為該晶體物質(zhì)的標志性參數(shù)。因此，不管使用何種靶材的X射線管，從所得到的衍射圖獲得的某樣品的一套d值，與靶材無關(guān)。
衍射圖上衍射峰間的相對強度主要決定于晶體的結(jié)構(gòu)，但是由于樣品的吸收性質(zhì)也和入射線的波長有關(guān)。因此同一樣品用不同靶所取得的圖譜上衍射峰間的相對強度會稍有差別，與靶材有關(guān)。
重溫一下布拉格公式和衍射的強度公式，您的問題答案全都有了。
我想知道不同衍射角對應(yīng)的晶面，怎么辦?
如果你的圖能夠找到對應(yīng)的粉末衍射數(shù)據(jù)卡，那么問題就簡單了。多數(shù)的粉末衍射數(shù)據(jù)卡上面都給出了各衍射線的衍射指標，也就可以知道對應(yīng)的晶面了。
如果是未知晶體結(jié)構(gòu)的圖，就需要求解各衍射線的衍射指標，這一步工作叫做"衍射圖的指標化"。如自己解決需要具備基礎(chǔ)的晶體學(xué)知識，然后學(xué)會一兩個指標化的工具軟件(如treaor90)進行嘗試。
對于正交晶系的晶胞參數(shù)，其中a、b、c代表晶胞的三個棱的長度。但我不清楚如何定義a、b、c的方向，也就是說按照什么依據(jù)確定這三條棱的方向?是否有明確的規(guī)定還是可以任意自定義?
一般來說可以用a < b < c的定向原則，其實，用什么方向都可以，它們可以通過矩陣來轉(zhuǎn)換。
晶胞中的a，b，c，分別是三個晶軸方向上的單位平移向量的長度，稱為軸長，不是"三個棱"的長度。軸長符號也常用a0，b0，c0表示。軸長單位常用? (埃，Angstrom，=10-10米)或納米(nm，=10-9米)。在晶體結(jié)構(gòu)中沒有"棱"這樣一種說法，只有晶體坐標系，而這個坐標系是用a， b，c，α，β，γ 六個參數(shù)來表示的，α，β，γ 分別代表三個軸間的夾角。而"晶棱"是指晶體的外形的棱邊。所以說"a、b、c代表晶胞的三個棱的長度"是錯誤的。
如何計算晶胞體積?比如說我想計算二氧化鋯四方晶相的晶胞體積，甚至是各個晶胞參數(shù)，怎么用這個軟件來具體處理一下呢?
首先，你要有相應(yīng)的晶體學(xué)方面的知識。這些軟件是為我們處理一些晶體學(xué)上的一些問題服務(wù)，所以，你不能拋開晶體學(xué)去使用軟件。有了一些必要的晶體學(xué)知識之后，你再去學(xué)習(xí)使用這些軟件，這樣你才能看懂help里的內(nèi)容。對于你現(xiàn)在所講的這個晶胞體積的問題，實際上也就是晶胞參數(shù)精確測定的問題，因為晶胞參數(shù)精確測定了之后，晶胞體積自然就知道了。
有什么軟件能根據(jù)分數(shù)坐標畫出晶體的空間結(jié)構(gòu)?就是有八面體或者四面體的那種。
根據(jù)晶體的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)，用diamond或atoms等專業(yè)的晶體結(jié)構(gòu)繪圖軟件便可畫出晶體的空間結(jié)構(gòu)。
六角結(jié)構(gòu)的晶體在生長時它的內(nèi)在的優(yōu)先生長方向是哪一個?
一般來說晶體沿短軸方向生長速度快 ,垂直于長軸方向的晶面密度較大，從能量的角度說，當晶體生長時，這樣的格位更穩(wěn)定一些。
在X射線測量中(三方晶系)通常給出的都是六方的晶格常數(shù)例如a=b=5.741, c=7.141,夾角分別為120°，120°，90°。現(xiàn)在我想把它換算成三方結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)a=b=c=? , 夾角 a=?
你是通過對衍射數(shù)據(jù)指標化得出的六方晶格常數(shù)，還是從文獻得到的?如果你的晶胞是菱方格子，那么用六方定向和菱方定向是一樣的
梁敬魁的《粉末衍射法測定晶體結(jié)構(gòu)》中有公式可以由三方轉(zhuǎn)六方，或六方轉(zhuǎn)三方。
如何知道晶體中原子坐標?
做單晶X-射線衍射才能得到原子的坐標。除了四圓外，CCD也可進行單晶X-射線衍射。
如何根據(jù)X射線衍射數(shù)據(jù)計算晶粒尺寸晶格常數(shù)和畸變，用什么理論和公式?
根據(jù)衍射峰的峰形數(shù)據(jù)可以計算晶粒尺寸晶格常數(shù)和畸變。在衍射峰的寬化僅由于晶粒的細小產(chǎn)生的情況下，根據(jù)衍射峰的寬化量應(yīng)用Scherrer公式便可以估算晶粒在該衍射方向上的厚度。你如果需要做這方面的計算，需要增加一些入門知識，在本網(wǎng)頁上你就能夠找到一些有關(guān)資料的。
[X射線小角衍射和X射線小角散射]
小角X射線散射(Small Angle X-ray Scattering)和小角X射線衍射(Small angle x-ray diffraction)是一回事嗎?
早期小角X射線散射僅指超細顆粒在低角度范圍(常指2θ<20°)上的X射線散射，而現(xiàn)在，小角X射線散射通指在低角度范圍(常指2θ<10°~20°)的X射線散射。
X -射線照射到晶體上發(fā)生相干散射(存在位相關(guān)系)的物理現(xiàn)象叫衍射，即使發(fā)生在低角度也是衍射。例如，某相的d值為31.5A，相應(yīng)衍射角為2.80° (Cu-Kα)，如果該相有很高的結(jié)晶度，31.5A峰還是十分尖銳的。薄膜也能產(chǎn)生取決于薄膜厚度與薄膜微觀結(jié)構(gòu)的、集中在小角范圍內(nèi)的X射線衍射。在這些情況下，樣品的小角X射線散射強度主要來自樣品的衍射，稱之為小角X射線衍射。對這類樣品，人們關(guān)心的是其最大的d值或者是薄膜厚度與結(jié)構(gòu)，必須研究其小角X射線衍射。
X-射線照射到超細粉末顆粒(粒徑小于幾百埃，不管其是晶體還是非晶體)也會發(fā)生相干散射現(xiàn)象，也發(fā)生在低角度區(qū)。但是由微細顆粒產(chǎn)生的相干散射圖的特征與上述的由超大晶面間距或薄膜產(chǎn)生的小角X射線衍射圖的特征完全不同。
小角衍射，一般應(yīng)用于測定超大晶面間距或薄膜厚度以及薄膜的微觀周期結(jié)構(gòu)、周期排列的孔分布等問題;小角散射則是應(yīng)用于測定超細粉體或疏松多孔材料孔分布的有關(guān)性質(zhì) 。
X-射線照射到樣品上還會發(fā)生非相干散射，其強度分別也主要集中在在低角度范圍，康普頓散射就屬于此類，其結(jié)果是增加背景。
哪里能得到小角X射線衍射的系統(tǒng)理論包括書、文獻、技術(shù)、軟件?
1. 張晉遠等, X 射線小角散射. 高等教育出版社, 北京, 1990
2. Y. Xiang, et al. Materials Characterization, 2000, 44(4-5): 435-9
我現(xiàn)在做介孔材料。介孔(孔徑2-50nm)在材料中成有序排列，象晶格一樣的排列在材料中，孔壁、材料為非晶相。為什么XRD能粗測孔與孔的間距?我了解到的是,孔成有序排列，所以在小角度會有衍射峰,(001)面的峰值和孔徑有關(guān)。但我不知道為什么?
跟長周期有關(guān)：大的孔需要大的周期，或者說是"孔面"間距，類似于"晶面間距"。"孔"意味晶體中該區(qū)域沒有原子填充，沒有填充原子就無衍射峰。而孔洞的邊界是原子緊密排列的，原子密度相對較高，對應(yīng)產(chǎn)生較強的衍射，強度較大。大孔孔徑大，空間重復(fù)周期大(即長周期)，對應(yīng)的晶面距大，產(chǎn)生的衍射在小角區(qū)。所說的(001)有強線對應(yīng)的材料的晶體C軸較長，如果第一線是(100)則A軸較長。
[關(guān)于粉末衍射數(shù)據(jù)庫的問題]
PDF2卡片與JCPDS 卡有什么區(qū)別?
是同一個東西!
PDF2是ICDD (International Centre for Diffraction Data)的產(chǎn)品，ICDD的前身為JCPDS (Joint Committee on Poder Diffraction Standards) 。
為什么我用pcpdfwin查到的電子PDF卡和我在學(xué)校圖書館查的PDF卡不同，卡號都是一樣的，可相對強度值不一樣，這是為什么?
相對強度是估計的，有誤差是正常的，可能是數(shù)據(jù)的來源有所不同造成的，還有要注意，由于卡片制作后就不能改，所以有的卡片被后來的結(jié)果修正了，這在印制的卡片上是沒有這種信息的，但在數(shù)據(jù)庫中的卡片則有說明，哪些卡片已經(jīng)被刪除。
衍射卡片里面相對強度怎么有的大于100?(比如為999)
粉末衍射卡的強度數(shù)據(jù)以相對強度提供，一般以最強線為100。但是計算的粉末衍射數(shù)據(jù)最強峰的強度值取作999。其實相對強度的數(shù)值并不重要，您只要把最大的當作100，其它的與之比較就可以了，比如999當作100那么500就是50，353就是35，在這里因為是估計，有誤差也沒有關(guān)系了。
同一種物質(zhì)對應(yīng)著兩張卡片，這正常嗎?
這很正常，兩張卡片是在不同的時間或由不同的人做的。你可以按卡片號調(diào)出卡片，卡片上就可以查到卡片數(shù)據(jù)出處的原始文獻。
在X射線粉末衍射的數(shù)據(jù)表中，Peak List中有Rel.Int.[%]，Pattern List中有Scale Fac,請問"Rel.Int.[%]"，"Scale Fac"代表的意義。
"Rel.Int.[%]"的意思是"相對強度，%"，"Scale Fac"是(強度)"比例因子"。
請問哪里能查到文獻上發(fā)表的天然產(chǎn)物的晶體數(shù)據(jù)?
ICSD 數(shù)據(jù)庫或ICDD 的PDF數(shù)據(jù)庫。
除此之外，還可以在礦物數(shù)據(jù)庫中和美國礦物學(xué)家晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫中免費查到，在"晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫"欄目中提供的鏈接中查。
[物相分析方面的問題]
樣品卡與標準卡對比原則?
提供幾條原則供大家參考：
1. .對比d值比對比強度要重要;
2. 低角度的線要比高角度的線要重要;
3. 強線比弱線重要;
4. 要重視特征線;
5. 同一個物相可能有多套衍射數(shù)據(jù)，但要注意有的數(shù)據(jù)是被刪除的;
6. 個別低角度線出現(xiàn)缺失;
7. 由于樣品擇優(yōu)取向某些線的強度會發(fā)生變化;
8. 有時會出現(xiàn)無法解釋的弱線，這是正常的，不能要求把所有的線都得到解釋。
"要重視特征線"，那么什么是特征線?"同一個物相可能有多套衍射數(shù)據(jù)，但要注意有的數(shù)據(jù)是被刪除的"，這是什么意思?
所謂的特征線就是某物質(zhì)最強而且是獨有的最容易判斷的線，如石英的特征線就是d=3.34?的線，在混合物中如果出現(xiàn)這條線，有石英的可能性就大，其它也是這樣，這在混合物中查物相是很有用的。
同一個物相可能有多套衍射數(shù)據(jù)是指有多個卡片的數(shù)據(jù)都是一個物相，比如石英(SiO2)從1到49卷都有數(shù)據(jù)，共有93個數(shù)據(jù)卡片，但是1-8卷15，16，33-1161，42-391等(共38個)這些卡片都是卡片庫的編者已經(jīng)刪除的。
哪里能查到文獻上發(fā)表的天然產(chǎn)物的晶體數(shù)據(jù)?
除ICSD database 和ICDD 的PDF庫外，還可以在礦物數(shù)據(jù)庫中和美國礦物學(xué)家晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫中免費查到。
如何將單晶數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為粉末的，來作為我的標準譜呢?
可以利用Shape公司的軟件，利用單晶數(shù)據(jù)計算粉末理論圖，最新版本1.2demo版。
沒有它的粉晶射線圖，但是有根據(jù)其單晶X射線衍射推算出來的晶胞參數(shù)，請問我怎么才能反推算出該晶體的粉晶衍射圖?
如果你有結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)，就可以從理論上算出粉末衍射圖的，可以使用Materials Studio的reflex plus模塊算出來;有原子坐標，通過diamond 也可以得到它的粉末XRD圖。
如何分析出其晶體結(jié)構(gòu)而確定是我們預(yù)期的物質(zhì)呢?
如果能夠在ICDD的粉末衍射數(shù)據(jù)庫中找到你預(yù)期的物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)，做一個XRD鑒定即可確定。
做了一些鋁合金試樣的XRD，試樣中鋁含量超過95%。試樣的譜線均在純鋁譜線左側(cè)，低角度譜線偏離0.2度左右，高角度譜線偏離0.3-0.4度左右。請問它們是第二相固溶引起的嗎?它們與固溶程度有什么定性和定量的關(guān)系?
根據(jù)Bragg公式，峰位置向左偏移，相當于d值變大了，反映其晶胞參數(shù)變大了，說明在Al的晶格中滲入了其他的原子。另外，沒有出現(xiàn)新的衍射峰，說明是鋁的無序固溶體，保持著純鋁的晶體結(jié)構(gòu)。
鈷酸鋰的標準卡片有哪幾種?而許多廠家用的是16-427標準卡片，沒有考慮(009)這個衍射峰，為什么不用75-0532標準卡片呢?
16-427是通過實驗得出的，而75-0532是利用ICSD結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫中的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)計算得出的
做鈷酸鋰實驗時，出現(xiàn)的峰和75-0532一樣，而和16-427是不是只差(009)衍射峰呢?如果是這樣，那么就是16-427漏掉了這個峰，或者當時實驗者收集數(shù)據(jù)時的角度不夠高，沒有達到這個峰的位置，這種情況是常有的
做鈷酸鋰XRD衍射實驗時，在X衍射儀上做出的衍射圖片,第一個衍射峰特別高,其他的衍射峰特別低,不成比例,是儀器本身的原因,還是發(fā)生了擇優(yōu)取向,請各位高手指點。
不知你是用鈷酸鋰粉末做的實驗，還是多晶膜等?如果是粉末，那可能就是擇優(yōu)取向了
化學(xué)沉淀法從氨氮廢水中結(jié)晶出磷酸銨鎂，XRD與標準JCPDS相比衍射峰有規(guī)律向左偏移，這表達什么晶體結(jié)構(gòu)的信息啊?
可能的原因：
如果各峰的偏移基本上是一個固定值，原因是2θ零位不正確;
樣品平面后仰;
組成偏離化學(xué)式"MgNH4PO4·6H2O"，未知的偏離導(dǎo)致晶格變大了一些。
用Jade5軟件可以進行XRD定量分析嗎?
XRD 定量分析的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)是樣品中各組成物相的強度數(shù)據(jù)(原理上應(yīng)該用峰的面積數(shù)據(jù))，余下的工作便是些乘除比例的運算了，使用表格軟件(如WPS Ofice的"WPS表格"、微軟的Excel)完成甚為方便。因此，使用任一能夠獲得峰面積或峰高的軟件工具都可以進行XRD定量分析，當然，有 Jade軟件更為方便。
哪里有X射線衍射校正和定量分析用的標準物質(zhì)(GBW(E) 130017)α-石英(α-SiO2)
國家標準物質(zhì)資源共享平臺。www.ncrm.org.cn
[結(jié)構(gòu)分析計算方面的問題]
請介紹一些介紹Rietveld方法的書籍。
這方面的書籍很多，如：
《粉末衍射法測定晶體結(jié)構(gòu)》
作者：梁敬魁編著 出版社：科學(xué)出版社
出版時間：2003 叢編項：應(yīng)用物理學(xué)叢書
簡介：本書系統(tǒng)全面論述了粉末衍射圖譜的指標化，點陣常數(shù)的精確測量，粉末衍射測定新型化合物晶體結(jié)構(gòu)的各種方法等在離子晶體結(jié)構(gòu)分析中的應(yīng)用。
主題項：粉末衍射法-晶體結(jié)構(gòu) X射線衍射-晶體結(jié)構(gòu)
有沒有關(guān)于精修的詳細操作的指南?
如果你想用Fullprof來精修結(jié)構(gòu)，那么你可以看看本論壇：http://www.crystalstar.org/Article/ShowArticle.asp?ArticleID=81關(guān)于這個軟件的使用說明。
有了結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)后，你可以用diamond、atoms等繪圖軟件繪出晶體結(jié)構(gòu)圖
請推薦一個小巧玲瓏，方便實用的計算晶胞參數(shù)的軟件。
Celref2.0或3.0都可以。
chekcell軟件可以根據(jù)xrd圖譜和pdf卡片獲得樣品的晶胞參數(shù)么?
CHEKCELL是進行晶胞參數(shù)的精修，粗晶胞當然可以在pdf卡片上得到了，這個軟件是較簡單，按照上面的提示操作就可以了
用XRD圖來精修出分子結(jié)構(gòu)研究分子的性質(zhì), 收集XRD時應(yīng)注意些什么?
強度要高，中等強度的衍射峰強度要達到5000計數(shù)以上;衍射峰的分辨要盡可能的好;掃描范圍要大，最大d值的峰不能缺失。衍射峰的強度和很多因素有關(guān)，比如樣品的衍射能力，性質(zhì)，還有儀器功率，測試方法，檢測器的靈敏度等等。
做XRD時步長一般為0.02度，但是如果要做Rietveld分析，出了強度要求500以上，步長有沒有什么要求啊?
一個半峰寬內(nèi)有3-5個點就可以了，步長一般為FWHM的0.2-0.3就可以了。
強度要求在10000-20000之間。
如果用普通的xrd儀器如brucker D8 或者 philips 等測試粉末的xrd,掃描速度需要多慢才適合用gsas等方法作rietveld分析，需要加內(nèi)標嗎?
掃描速度的快慢是根據(jù)你的數(shù)據(jù)強度要求來確定的，如果要做結(jié)構(gòu)精修，中等強度的衍射峰的強度應(yīng)該在5000以上，至于內(nèi)標是不需要的。
衍射峰的強度好像和儀器有很大的關(guān)系，因為以前用Rigaku 的Dmax，每次都是幾千，但現(xiàn)在用Bruker或者Philips，好像每次都在一千以下，不知道是什么問題。粉末的結(jié)晶肯定是好的。
與發(fā)生器的功率有關(guān)。你曾使用的Rigaku 的Dmax是高功率的轉(zhuǎn)靶衍射儀吧?強度也和衍射儀的掃描半徑有關(guān)。
用國產(chǎn)儀器(丹東方園儀器有限公司)測的XRD數(shù)據(jù)能不能用于Retrieve精修?
國產(chǎn)衍射儀的基本技術(shù)指標(測角準確度、重現(xiàn)性、分辨率，衍射強度穩(wěn)定性、長期工作穩(wěn)定性等指標)與進口衍射儀并無水平級的差異。配有石墨彎晶單色器的國產(chǎn)衍射儀，正確選擇狹縫、采數(shù)步寬和步進計數(shù)時間(保證峰強度)，同樣能夠獲得能夠用于Retrieve精修的衍射數(shù)據(jù)。例如中科院北京研究生院無機新材料實驗室近幾年來完成的大量晶體結(jié)構(gòu)分析工作，其衍射數(shù)據(jù)就是在該實驗室購置的XD-3型X射線衍射儀(北京普析通用儀器公司生產(chǎn))上收集的。
我做的是磷礦粉的XRD，它屬于六方晶系。請問有沒有能計算晶胞參數(shù)的程序，以及程序的用法。
首先您應(yīng)該要求給您作衍射的實驗室提供d值和強度的衍射數(shù)據(jù)，然后檢索ICDD卡片。如果你把這個物相的卡片數(shù)據(jù)檢索到了，那么你的問題就是晶胞參數(shù)精修了，下載Chekcell精修晶胞參數(shù)。如果你還想計算結(jié)晶粒度的大小，建議你用一些全譜擬合的軟件，如Fullprof等，這樣，不僅可以精修晶胞參數(shù)，同時也可以得到半高寬或積分寬度的數(shù)據(jù)，可以用于結(jié)晶粒度計算。當然，要計算結(jié)晶粒度，最好還要進行儀器校正曲線的測定，一般在收集你的實驗樣品的同時，再在相同條件下收集標準樣品(LaB6，標準Si等)的譜圖，以便扣除儀器對半高寬或積分寬度的貢獻。
已經(jīng)知道晶體的晶格常數(shù)、晶系以及各衍射峰的hkl值，請問如何確定其空間群，有沒有相應(yīng)的軟件。
有了這些就可以用Shelx來解晶體了，空間群自然也就能確定了。可以用國際晶體學(xué)手冊，利用你的已知數(shù)據(jù)便可查的。未知物質(zhì)的空間群是根據(jù)統(tǒng)計消光規(guī)律來得到的，最終的結(jié)果還要用結(jié)構(gòu)測定的結(jié)果來最后確定，統(tǒng)計消光規(guī)律來推測空間群的軟件有XPREP,wingx等.
具體可以如下操作：衍射數(shù)據(jù)當作P1空間群處理然后利用 Pattern 程序生成 Psudo-Precession然后根據(jù)系統(tǒng)消光規(guī)律推導(dǎo)出晶體的勞埃對稱性。不是所有的時候都可以直接給出最終的空間群。最好在解完結(jié)構(gòu)之后，利用結(jié)構(gòu)解析程序產(chǎn)生的FCF文件再重新核對一遍。
如果我想要從這個 powder diffraction profile來解出其結(jié)晶結(jié)構(gòu).包括其各個晶格參數(shù) 以及其是什麼樣的晶型 tetragonal or orthorhombic 等等那我該如何是好呢?
如果你只想知道這個新物相的晶格參數(shù)和晶系，用你的粉末衍射數(shù)據(jù)去指標化就可以了。指標化就是確定每個衍射峰的衍射指標，當然這個過程同時就給出了晶系。
有沒有一個程式是可以輸入 a b c 三軸的值以及三軸之間的三個夾角然後就可以自動畫出這樣的晶型可能產(chǎn)生的 powder diffraction profile呢?
有這樣的程序可以輸入晶格參數(shù)和空間群就可以理論計算出衍射峰的位置。可以用的軟體很多，CHEKCELL這個免費的軟體就可以解決您的問題。如果需要理論計算衍射強度，你還需要給出原子坐標參數(shù)。
原子各向同性(異性)溫度因子對結(jié)構(gòu)影響大嗎?
溫度因子就是反映原子在平衡位置附近振動情況的一個因子，主要是對強度有影響，那當然就對結(jié)構(gòu)有影響了。
晶體的各向異性溫度因子是如何定義的?
晶體中的原子普遍存在熱運動，這種運動在絕對零度時也未必停止。通常所謂的原子坐標是指它們在不斷振動中的平衡位置。隨著溫度的升高，其振動的振幅增大。這種振動的存在增大了原子散射波的位相差，影響了原子的散射能力，即衍射強度。在晶體中，特別是對稱性低的晶體，原子各個方向的環(huán)境并不相同，因此嚴格的說不同方向的振幅是不等的，由此引入了各向異性溫度因子。
在進行Rietveld結(jié)構(gòu)精修時，是否該對溫度因子進行約束?如何約束以及約束范圍?
由于溫度因子是隨著衍射角的增加而對強度的影響增大，所以，如果要精修溫度因子，就一定要收集高角度的數(shù)據(jù)。
如何由粉末衍射數(shù)據(jù)通過FullProf提取結(jié)構(gòu)因子?
首先需要一個dat文件，第一行，2theta起點，步長，終點，下面是每個點的強度。
下面需要編寫pcr文件，先得到六個晶胞參數(shù)，零點，還要得到18-30個背景點，才能開始編寫，其他參數(shù)設(shè)置可以看說明書。如果你以前用 Fullprof精修過結(jié)構(gòu),則只需修改如下參數(shù)：Line 11-2 的N(number of atoms in asymmetric unit)參數(shù)置為0,相應(yīng)的下面與原子有關(guān)的參數(shù)就不要了;Line 11-2 的JBT參數(shù)(2,-2,3或-3,具體看說明)。至于要輸出什么樣格式的結(jié)構(gòu)因子數(shù)據(jù)文件,可以通過LINE 3 的JFOU參數(shù)來控制。
Fullprof精修時，BISO的值給如何設(shè)定?是否有個大概的取值范圍?
Biso 是溫度因子，occu是占有率。從我擬合來看，Biso與原子的位置有關(guān)系。溫度因子是反映原子或離子偏離平衡位置的程度，因為晶胞中各原子都要做熱振動的。對于立方晶系，各向同性，只修各向同性溫度因子就可以了。溫度因子和占有率都是影響強度的參數(shù)，所以之間有一定的相關(guān)性。而且，溫度因子對高角度峰的強度影響比較大，所以，如果要精修溫度因子，最好收到高角度的數(shù)據(jù) 。
Fullprof精修中的scale的初值一般是怎么確定的?
比例因子scale是指理論計算數(shù)據(jù)與實驗數(shù)據(jù)之間的比值，一般隨便給就可以，不會影響精修的。只要你的初始模型正確，幾輪就可以修到比較合理的值。
我最近才接觸到Rietveld精修，使用的軟件是Fullprof 。在編寫pcr文件的時候碰到一些問題，比如：ATZ跟OCC這兩個參數(shù)是怎么算出來的。我查了一些資料，計算的公式是有了，但是具體的那些參數(shù)的值是怎么算的就不清楚了，還請各位多多指教!
AZT = Z.Mw.f^2/t
Occ= chemical occupancy x sitemultiplicity (can be normalized to the multiplicityof the general position of the group).
請問：1. Z,f,t,該怎么取值?
2. 什么是general position of the group,從哪里可以獲得這個數(shù)據(jù)
答： 1. AZT = Z*Mw*f^2/t (useful to calculate the weight percentage of the phase)
Z: Number of formula units per cell
Mw:molecular wheight
f: Used to transform the site multiplicities to their true values. For a stoichiometric phase f=1 if these multiplicities are calculated by dividing the Wyckoff multiplicity m of the site by the general multiplicity M. Otherwise f=Occ.M/m, where Occ. is occupation number.
t: Is the Brindley coefficient that accounts for microabsorption effects. It is required for quantitative phase analysis only. When phases have like absorption (in most neutron uses), this factor is nearly 1. If IMORE=1 the Brindley-coeff is directly read in the next line (in such case ATZ=Z.Mw.f^2).
這里說明一下，ATZ的值只有在做定量分析的時候有用，如果不做定量分析，只做結(jié)構(gòu)精修，則可以隨便給一個值即可。
2. general position of the group就是晶體學(xué)國際表中某個空間群的一般等效點系數(shù)，可以從晶體學(xué)國際表查得：International Tables for Crystallography, Volume A: Space Group Symmetry
剛開始學(xué) fullrpo，我樣品里可能有二相，空間群為C2/c(主相)和R-3c，我想得到各自的結(jié)構(gòu)信息，先修scale-zero-background (前三參數(shù))-UVW-cell param.幾輪下來來峰位大致對上，可是再修Shape1誤差就更好，修原子坐標也很離奇，出現(xiàn)2點多和負值。
請問：
1，原子坐標修的順序怎么定呀，我看程序附帶的eg.里修原子的順序不是按原子順便排下來的?
2，ATZ值再我這重要嗎?手冊里公式ATZ=ZMf^2/t中個系數(shù)分別什么意思呀?
3，原子占位=chemOCC.m/M中個系數(shù)又是什么意思呢?
4，原子各向同性(異性)溫度因子Biso/B11，B22，B33，B12，B13，B23對結(jié)構(gòu)影響大嗎?他們是什么意思呢?
答：
修原子坐標時，一般是由重到輕，也就是先修原子序數(shù)大的;
ATZ公式里各個系數(shù)在fullprof的幫助文件里說的比較清楚;
原子占有率中m是特殊等效點系的重復(fù)數(shù)，M是一般等效點系的重復(fù)數(shù);
溫度因子就是反映原子在平衡位置附近振動情況的一個因子，主要是對強度有影響，那當然就對結(jié)構(gòu)有影響了，你可以看看結(jié)構(gòu)因子的表達式，就可以找出到底有啥影響了。
要做原子的占位及占有率。Z、t的值都可以隨便取嗎?Z是表示晶包中原子的個數(shù)嗎?
隨便給一個ATZ的值就可以了。Z是表示晶胞中所包含的化學(xué)式的個數(shù)。
就是在用Fullprof這個軟件精修晶格參數(shù)時,對于幾個R因子，Rp, Rwp，Rexp等參數(shù)的值大小一般要為多大精修的結(jié)果才可靠?
Rp, Rwp參數(shù)的值大小通常和你的數(shù)據(jù)質(zhì)量、結(jié)構(gòu)模型等有關(guān)，目前好像沒人說這個值應(yīng)該是多少。Rexp是一個期望的因子，它與數(shù)據(jù)點數(shù)、精修參數(shù)的個數(shù)等有關(guān)。對于晶胞參數(shù)，通常主要看R-Bragg因子。對于這些因子你可以看看這篇文獻：J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 109, 107-123 (2004)
用fullprof軟件做rietveld 精修一般要做很多輪,而且在過程中要不斷檢查和調(diào)整 PCR文件,我想請問一下，像溫度因子(要求不能為負數(shù)的)，占有率，各項異性等在那個文件里看啊?
算完后直接在.new(如pcr=2)或.pcr(如pcr=1)里就能看到的。
使用Fullprof軟件進行Rietveld精修時，編輯PCR文件過程中，Nex 參數(shù)的含?什么情況下使用Nex?Nex的數(shù)值選0、1、2的依據(jù)是什么?排除區(qū)域的范圍如何確定?
Nex就是排除區(qū)域的個數(shù)，即Nex=0時，沒有排除區(qū)域;Nex=1時，表示有一個排除區(qū)域，依此類推。被排除的區(qū)域是不參加擬和精修的。
所有JCPDS卡片上的物質(zhì),都可以從ICSD數(shù)據(jù)庫輸出*.cif文件嗎?
JCPDS 是粉末衍射數(shù)據(jù)庫，而ICSD是無機晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫，所以對于JCPDS卡片中的某一物相，只要ICSD數(shù)據(jù)庫中有對應(yīng)的物相，就可以從ICSD數(shù)據(jù)庫中導(dǎo)出*.cif文件。但并不是所有的JCPDS卡片中物相都能在ICSD數(shù)據(jù)庫中找到對應(yīng)的結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)，因為我們知道，對于某一物相，我們要收集到它的粉末衍射數(shù)據(jù)是比較容易的，但是，對于得不到單晶的物相來說，要想從粉末數(shù)據(jù)解出晶體結(jié)構(gòu)是不容易的。
如何由XRD的數(shù)據(jù)和峰值得出diamond畫圖需要的cif文件，請問需要什么軟件
由XRD的數(shù)據(jù)通過一系列分析(如尋峰、指標化、提取結(jié)構(gòu)因子、解結(jié)構(gòu)等步驟)得出結(jié)構(gòu)參數(shù)，然后才能得到cif文件。
若結(jié)構(gòu)已知，則可以直接從Icsd數(shù)據(jù)庫輸出cif文件
如何將TXT轉(zhuǎn)化為CIF格式?衍射儀能否將數(shù)據(jù)直接存為CIF格式?"將*.txt文件用記事本打開，文件名另存為*.cif 格式，其中的保存類型選項為"所有文件"，保存"這樣做對嗎?
* . cif文件是在解好結(jié)構(gòu)以后，用acta指令產(chǎn)生的。測晶體后只能得到強度文件和設(shè)置文件。而不是把文件擴展名txt直接修改為cif。
如何將粉末衍射的dat數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)成用于expo的pow數(shù)據(jù)，是用什么軟件還是直接手改的。用什么軟件可以生成后綴為pow的文件。
把數(shù)據(jù)導(dǎo)入PowderX，輸出數(shù)據(jù)為 .pow就可以了。PowderX的數(shù)據(jù)格式可設(shè)定為：
abc /注釋行/
數(shù)據(jù)點總數(shù) /(終止角度-起始角度)/步長+1/
強度 2Theta
... ...
... ...
存為.dat文件，然后導(dǎo)入數(shù)據(jù)，選擇x-y (.xrd)。
當然有一些知名公司儀器的格式可以直接導(dǎo)進去。例如可以用Jade ，如果你知道*.pow 文件的格式。
做Rietveld時發(fā)現(xiàn)：如果事先對原始數(shù)據(jù)進行平滑等一系列的預(yù)處理會比較容易使R因子減小，小弟的做法是否不妥?
做Rietveld時，是不需要對數(shù)據(jù)進行平滑處理的，因為平滑處理肯定會使數(shù)據(jù)在一定程度上失真的。不過，在不影響峰形的前提下進行輕度的平滑處理也是可以的
在做Rietveld精修(refinement)之前我已經(jīng)精確的測定了晶胞參數(shù)。在精修的過程中，發(fā)現(xiàn)晶胞參數(shù)與先前的測定值相比較，差別很大，但整體的R殘差因子( R-factor)很小。 如果對晶胞參數(shù)進行束縛，則整體的殘差因子較大。請問我該如何處理?
如果你的XRD數(shù)據(jù)沒有雜相峰，且提供的空間群也正確，那么應(yīng)該優(yōu)先選擇最小的R值的結(jié)果。
我下載安裝了Fullprof軟件，但打不開在理學(xué)DMAX-2000儀器上的數(shù)據(jù)文件.raw, 或.txt文件。請問它要求的文件格式是什么嗎?該怎么轉(zhuǎn)化成它要求的文件格式?Fullprof和winplotr兩個軟件哪個好用?
你可以用jade將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為Fullprof能識別的格式，F(xiàn)ullprof能識別多種數(shù)據(jù)格式，具體格式在它的說明文件里都有相應(yīng)的說明。
Fullprof是一個可單獨執(zhí)行的用于晶體結(jié)構(gòu)分析的程序;而Winplotr是一個用戶界面程序，我們通過它來調(diào)用Fullprof、指標化程序、鍵長鍵角計算等程序
如何計算出來理論衍射圖(給定晶格參數(shù)和實驗參數(shù)后，如何計算得到X射線衍射圖)?
首先，模擬(就是你說的"計算")是要基于許多理論模型的，因為粉末衍射圖樣的形成要受很多因素的影響，峰的位置、形狀，峰彼此之間的影響都可以用一些模型來描述，三兩句話說不清楚;
第二，有大量的現(xiàn)成的軟件可以用;
第三，如果你打算把粉末衍射的模擬作為你的研究課題，你應(yīng)該多看一些文獻和基本原理的介紹。只要你有了晶胞參數(shù)、原子坐標，就可以用大量的現(xiàn)成的軟件來計算出仿真的X射線粉末衍射圖。
有單晶X射線衍射推算出來的晶胞參數(shù)，請問我怎么才能反推算出該晶體的粉晶衍射圖?
需要原子坐標!如果你有結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)，就可以從理論上算出粉末衍射圖。例如，通過Fullprof、Diamond 軟件工具即可以得到該晶體的粉末XRD圖，也可以使用Materials Studio的reflex plus模塊算出來，不用自己手工算了。
請問知道晶體的結(jié)構(gòu)和晶格參數(shù)能模擬它的X衍射譜線嗎?
這種軟件很多，crysconI.exe就是其中一個。用PCW也不錯，可以轉(zhuǎn)化成txt文件，在origin畫圖進行比較，很方便
[峰寬問題]
除了結(jié)構(gòu)缺陷和應(yīng)力等因素外，為什么粒徑越小，衍射峰越寬?
從衍射理論知道，衍射極大和第一極小之間的角寬度與發(fā)生相干衍射區(qū)域(相干域)的尺寸有關(guān)，相干域越大，角寬度就越小。一般來說，相干域的尺寸小于2微米，就會使衍射峰造成可測量的寬化。所以，晶粒的粒徑越小，以至不能再近似看成具有無限多晶面的理想晶體，對 X 射線的彌散現(xiàn)象就越嚴重，表現(xiàn)在峰強變?nèi)酰遄儗挕?/p>
什么是標準半峰寬度，如何得到?
所謂的標準半峰寬應(yīng)該是指儀器本身的寬化因子，和實驗時使用的狹縫條件關(guān)系最大，想得到它并不難：
比如在相同的測量條件下，把Si標樣放到儀器上測量Si的各個衍射峰的Kα1峰的半高寬，就是所謂的標準了。當你需要測量一系列非標樣Si粉時，就把標樣Si的Kα1峰的半寬作為標準半峰寬使用就可以了。
但，有很多時候合適的標準物質(zhì)很難得到，你就用另外的標準物質(zhì)(出峰位置很相近的標準物質(zhì))代替，也完全沒有問題。也可以根據(jù)Si標樣在整個掃描范圍內(nèi)的衍射峰的Kα1峰的半高寬作出儀器寬化因子-2θ關(guān)系曲線來得到任意進度的儀器寬化因子。因為謝樂方程的適用條件也就是幾十到200nm之間，超出這個范圍誤差是很大的。只要你在進行相同的一系列計算時使用相同的一個參數(shù)就一般就可以滿足研究工作的要求了。
為什么晶粒尺寸的變化會引起X射線衍射的峰線寬化?
理想的晶體是在三維空間中無限的周期性延伸的，所以，如果不考慮儀器寬化的因素，那么理想晶體的衍射峰應(yīng)該是一條線，但是實際晶體都是有尺寸的，即，周期性不是無限的，這就造成了由于結(jié)晶粒度引起的寬化，如果結(jié)晶粒度無限小下去，衍射峰就會寬化直至消失變成大鼓包了，也就是非晶了。
晶體晶粒細化，多晶試樣中存在宏觀應(yīng)力時，衍射花樣的變化情況是怎樣?
不管是粉末試樣還是(多)晶體試樣，粉末顆粒或晶粒太粗，參加衍射的晶粒少，會使衍射線條起麻，衍射的重現(xiàn)性但粉末顆粒或晶粒過細時，會使衍射線條變寬，這些都不利于分析工作。存在宏觀內(nèi)應(yīng)力的效應(yīng)是使得衍射環(huán)或衍射峰的位置改變，導(dǎo)致底片上的衍射線條變寬，不利于分析工作。
[衍射圖數(shù)據(jù)收集方面的問題]
收集XRD應(yīng)注意些什么?(比如收集角度泛圍、速度等有什么要求?
衍射峰的強度和很多因素有關(guān)，比如樣品的衍射能力，性質(zhì)，還有儀器功率，測試方法，檢測器的靈敏度等等。
XRD衍射強度和峰的寬度與樣品顆粒大小，還是與晶體顆粒大小有關(guān)?
樣品中晶粒越小，衍射峰的峰高強度越來越低，但是峰越來越寬，實際上利用X射線衍射峰的寬化對樣品的結(jié)晶顆粒度分析就是根據(jù)這個原理的(Scherrer公式)。
晶粒大小和顆粒大小有關(guān)系，但是其各自的含義是有區(qū)別的。一顆晶粒也可能就是一顆顆粒，但是更可能的情況是晶粒抱到一起 , 二次聚集 , 成為顆粒。顆粒不是衍射的基本單位噻, 但是微小的顆粒能產(chǎn)生散射。你磨的越細 , 散射就越強.。對于晶粒, 你磨過頭了, 晶體結(jié)構(gòu)被破壞了, 磨成非晶, 衍射能力就沒有了。磨得太狠的話，有些峰可能要消失了，而且相鄰較近的衍射峰會由于寬化而相互疊加，最終會變成1個或幾個"鼓包"。一般晶面間距大的峰受晶粒細化的影響會明顯一些，因為d值大的晶面容易被破壞
衍射強度變?nèi)醣举|(zhì)的原因是由于晶體顆粒變小，還是樣品顆粒變小?
強度除了和晶粒度有關(guān)外,還和晶粒的表面狀態(tài)有關(guān)。一般顆粒越細,其表面積越大，表面層結(jié)構(gòu)的缺陷總是比較嚴重的。結(jié)構(gòu)缺陷將導(dǎo)致衍射強度降低和衍射峰寬化。XRD研究的應(yīng)該是晶粒、晶體的問題，與晶體結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)的問題，不是樣品顆粒的大小問題，謝樂公式算的應(yīng)該也是晶粒的大小。樣品顆粒的大小要用別的方法測定.，例如光散射、X射線散射、電鏡等。
細針狀微晶粉末樣品做XRD重復(fù)性很差。(制作粉末衍射樣品片)怎么可以避免擇優(yōu)取向?
擇優(yōu)取向是很難避免的，只能盡力減少他的影響。首先，你要講樣品磨得盡量細(但要適度，要注意樣品的晶體結(jié)構(gòu)不要因研磨過度而受到損壞);不要在光滑的玻璃板上大力壓緊(壓樣時可以在玻璃板上襯一張粗糙的紙張)，樣品成形盡可能松一些;制樣過程中也可以摻一些玻璃粉，或加一些膠鈍化一下樣品的棱角。當然還有其他一些方法，你可以上http://www.msal.net查找一下有關(guān)這方面的資料。
采用X射線進行晶體衍射分析，利用照相法記錄衍射花樣，1、當多晶體晶粒細化時，衍射花樣將如何變化?2、當多晶試樣中存在宏觀應(yīng)力時，衍射花樣的變化情況是怎樣?
不管是粉末試樣還是(多)晶體試樣，粉末顆粒或晶粒太粗，參加衍射的晶粒少，會使衍射線條起麻，但粉末顆粒或晶粒過細時，會使衍射線條變寬，這些都不利于分析工作。存在宏觀內(nèi)應(yīng)力的效應(yīng)是使得衍射環(huán)或衍射峰的位置改變，導(dǎo)致底片上的衍射線條變寬，不利于分析工作。
XRD峰整體向右偏移是什么原因造成的?
可能是離子半徑小的元素取代了離子半徑大的元素。
也可能是你制樣時，樣品表面高出了樣品座平面，或者儀器的零點不準造成的，建議你最好用標樣來修正你的數(shù)據(jù)。
把樣品靠后放置，使樣品偏離測角儀中軸大概有1mm，請問衍射峰會怎么變化?
峰位移向低角度。樣品表面偏離測角儀轉(zhuǎn)軸0.1mm，衍射角的測量將產(chǎn)生約0.05?(2θ)的誤差(對Cu靶，在2θ 20?附近的位置)
影響儀器測量結(jié)果的分辨率僅僅取決于θ 嗎?
影響儀器測量結(jié)果的分辨率的因素是多方面的：測角儀的半徑;X射線源的焦斑尺寸;光學(xué)系統(tǒng)的各種狹縫的尺寸;儀器調(diào)整情況(2：1關(guān)系);采數(shù)步寬;樣品定位情況等。
進行衍射分析時如何選擇靶(X光管)?現(xiàn)有Cr的多晶試樣，我只知道衍射分析時選Cr靶最好，但不知道為什么。
對于所有的元素，在高速電子的轟擊下都會產(chǎn)生X射線還可能產(chǎn)生其特征X射線。元素受較高能量的X射線的照射時也能夠激發(fā)其特征射線，稱為二次X射線或熒光X射線，同時表現(xiàn)出對入射X射線有強烈的吸收衰減作用。
對于一定波長，隨著元素周期表中的原子序數(shù)的增加其衰減系數(shù)也增加，但到某一原子序數(shù)時，突然降低;對于一定元素隨著波長的增加質(zhì)量衰減系數(shù)也會增加，但到某界限時質(zhì)量衰減系數(shù)突然降低，此種情況可以出現(xiàn)數(shù)次。各元素的質(zhì)量衰減系數(shù)突變時的波長值稱為該元素的吸收邊或吸收限。利用元素吸收性質(zhì)的這個突變性質(zhì)，我們能夠為每一種X射線靶選擇到一種物質(zhì)做成"濾波片"，它僅對該靶材產(chǎn)生的Kβ線強烈吸收而對其Kα波長只有部分的吸收，從而可以獲得基本上由Kα 波長產(chǎn)生的衍射圖。原子序數(shù)比某靶材小1的物質(zhì)正是這種靶的Kβ濾片。
但是，Kβ濾片不能去除樣品產(chǎn)生的熒光X射線對衍射圖的影響。熒光X射線的強度將疊加在衍射圖的背景上，造成很高的背景，不利于衍射圖的分析。因此，對于X射線衍射儀來講，如果設(shè)備沒有配置彎晶石墨單色器僅使用Kβ濾片，選波長(或者說選靶)主要考慮的就是樣品中的主要組成元素不會受激發(fā)而產(chǎn)生強烈的熒光X射線。如果分析樣品中的元素的原子序數(shù)比靶的元素的原子序數(shù)小1至4，就會出現(xiàn)強的熒光散射。例如使用Fe靶分析主要成分元素為Fe、Co、Ni的樣品是合適的，而不適合分析含有Mn Cr V Ti 的物質(zhì);Cu靶不適合于分析有Cr，Mn，F(xiàn)e，Co，Ni這些元素的物質(zhì)。所以，對于Cr是主要組成元素的樣品，只能選擇Cr靶X射線管。
石墨單色器不僅能夠去除入射光束中的Kβ 產(chǎn)生的衍射線，同時可以避免樣品的熒光射線以及樣品對"白光"產(chǎn)生的衍射疊加在衍射圖的背景上，從而可以得到嚴格單色的Kα 波長產(chǎn)生的衍射圖。因此，在配置有彎晶石墨單色器的衍射儀上工作時，可以不用考慮樣品產(chǎn)生的熒光X射線的干擾，Cu靶X射線管能夠通用于各種樣品，包括主要組成為Cr，Mn，F(xiàn)e，Co，Ni等元素的樣品。
但是具有波長大于CuKα波長的靶(如Cr、Fe、Co等靶)對于小角X射線衍射的研究或晶面間距的精確測定還是有價值的。因為波長增加能夠減少衍射峰的重疊;使所有的衍射峰移向較高的角度。
(用X射線衍射儀)做X射線衍射時，一些(儀器)參數(shù)對譜線有什么影響?
如何選擇儀器參數(shù)主要取決于做X射線衍射的目的。比如：掃描速度，如果是一般鑒定就可以取快一些(4-8度/分)，如果是精修晶胞參數(shù)就要掃慢一些;狹縫條件，狹縫越小分辨率越高，但強度就會減小，不宜快掃，這又要增加時間。還要根據(jù)的樣品的衍射能力、結(jié)晶度等因素來定。如果是步進掃描：測定晶胞參數(shù)可以取每個步進度1-30秒，如果做結(jié)構(gòu)精測30秒到數(shù)分鐘不等(對于普通功率的衍射儀，40kV、40mA)。
衍射峰左右不對稱是何原因?
衍射儀獲得的衍射峰形(精確地說是衍射線的剖面，diffraction line profile)是不對稱的，尤其是在低角度區(qū)(2θ < 30°)表現(xiàn)更為明顯。
峰型不對稱是由多方面的因素造成的，主要是衍射儀光路的幾何因素、儀器的調(diào)整狀況以及樣品的吸收性質(zhì)等。
高精度測角儀是怎么實現(xiàn)θ/2θ倍角轉(zhuǎn)動的?這種裝置能夠保證嚴格的倍角同步嗎?
θ/2θ 是兩個同軸的園，θ是帶動樣品轉(zhuǎn)動的園，而2θ是探測器轉(zhuǎn)動的園，這樣設(shè)計的目的是為了保證樣品在轉(zhuǎn)動中的衍射焦點始終在探測器轉(zhuǎn)動的大園上。現(xiàn)代的衍射儀用2個步進電機分別獨立控制θ和2θ園的轉(zhuǎn)動，控制電路能夠保證兩個園按1:2轉(zhuǎn)速比轉(zhuǎn)動，保證兩個園的轉(zhuǎn)動嚴格倍角同步。
磁性材料比如NdFeB或者NdFeN的粉末，是不是會因為磁性的存在會產(chǎn)生擇優(yōu)取向?
磁性材料肯定是最具擇優(yōu)取向的,否則就沒有磁性了，制樣時應(yīng)當磨成粉末,可以抑制這種取向趨勢。"擇優(yōu)取向"會使很多本來有的衍射峰出不來。
為什么有的XRD data中，有(200)(400)面，而沒有最基本的(100)面數(shù)據(jù)?或者有(220)而沒有(110)?
粉晶衍射不一定能出現(xiàn)所有的面網(wǎng)，很多物質(zhì)的粉晶衍射都不一定出現(xiàn)(100)(110)，這與結(jié)構(gòu)有關(guān)。
晶體衍射有個叫"消光"的現(xiàn)象，晶體的"消光規(guī)律"決定于它的結(jié)構(gòu)的對稱性，不同的空間群其"消光規(guī)律"不同。
如果應(yīng)該出現(xiàn)的衍射而沒有出現(xiàn)，那就是樣品的擇優(yōu)取向引起的。
再者(100)面的角度比較低，有時是沒有掃到或淹沒在低角度的背景中了。
[儀器技術(shù)]
介紹射線用晶體CdTe
CdTe是稱為碲化鎘的半導(dǎo)體化合物的一種。其具有對放射線有良好的吸收效率，由于能直接把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。被利用在作為放射線探出器的一種新型好材料。
至今為止，在探測放射線的元器件里有各種各樣的探測材料，代表的有Lithium drift silicone和鍺。但是由于它們對放射線的感度不高，而且需要是使用液化氮氣進行低之-196C的冷卻。而且需要借助光敏管來轉(zhuǎn)換光電信號。所以它們不易做到小型化。CdTe具有高感度，可以在常溫的狀態(tài)下發(fā)揮比以往產(chǎn)品更加具有優(yōu)越的特性。對能量100keV放射線的只需要2mm厚的CdTe來制作探測器，感度是silicone的10倍。而且不需要冷卻設(shè)備。CdTe可以用在射線的測量(診斷上)和低能射線的測定。使用CdTe探頭的各類器械都能做到輕便,小型具有更高的分辨率的探測裝置。
現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)的產(chǎn)品有小型伽馬照相機和各種X射線、γ射線探測器。在研究開發(fā)CT、PET的探測器的開發(fā)中已經(jīng)走向成熟化。
常用公式-- 晶面夾角的計算公式
設(shè)晶面(h1k1l1)和晶面(h2k2l2)的面間距分別為d1、d2。則二晶面的夾角φ以下列公式計算(V為單胞體積)。
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