6月12日,港交所官網顯示,全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的龍頭企業英諾賽科 ( 蘇州 ) 科技股份有限公司(下稱“英諾賽科”)正式向香港證券交易所遞交了招股書,計劃在主板上市。值得一提的是,英諾賽科目前還面臨來自英飛凌等公司的三項專利侵權訴訟,如果判決不利,可能會面臨禁止生產或銷售涉案產品,或責令支付賠償的風險。
招股書顯示,英諾賽科成立于2015年,是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業,注冊資本為 8.34 億元,實際控制人為駱薇薇,持有該公司 28% 的股份。
英諾賽科在招股書中提到,截至2023年底,公司擁有397名研發人員。公司在全球有約700項專利和專利申請,涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。
不過,英諾賽科招股書顯示,于往績記錄期間,公司面臨兩名競爭對手針對公司若干產品潛在知識產權侵權提出的三項訴訟。目前,這三項訴訟事項仍處于相對較早階段,若判決不利,公司可能會被禁止上產或銷售侵權產品、或責令支付金錢賠償。
據相關媒體報道,2023年,氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地區法院以及美國國際貿易委員會提起訴訟,稱英諾賽科侵犯了其四項專利,涵蓋了EPC專有的增強型氮化鎵(GaN)功率半導體器件的設計和大批量制造工藝的核心方面。
英諾賽科隨后發布聲明,稱EPC對比英諾賽科從商業規模、業務范圍到技術實力上都差距懸殊,其由個別員工工作變動而幻想出的技術抄襲清潔屬臆想行為,沒有事實依據。
今年3月,英飛凌在其官網發布消息稱,為防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術相關的美國專利收到侵犯,對英諾賽科提起訴訟,且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導體器件的核心方面,其中包括可實現英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創新。
2021-2023年,英諾賽科的收入分別為6821.5萬元、1.36億元和5.93億元。根據弗若斯特沙利文資料,按收入計,英諾賽科2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。
收入持續增長的英諾賽科,目前仍未實現盈利。2021-2023年,英諾賽科虧損金額分別為34億元、22.05億元和11.02億元,合計67.07億元;經調整凈虧損分別為10.81億元、12.77億元和10.16億元,合計33.74億元。
2021 年至 2023 年,英諾賽科的銷售成本分別為 2.5 億元、5.3 億元、9.55 億元,研發開支分別為 6.62 億元、5.81 億元、3.49 億元,銷售成本和研發開支逐年增加。英諾賽科稱,未來可能繼續產生虧損,且無法保證最后會達到預期的盈利能力。
目前,英諾賽科的創始人、董事長及執行董事駱薇薇,其直接持股比例為5.9%,間接持股比例為23.1%;其余三名執行董事則分別為Jay Hyung Son、吳金剛和鐘山,年齡均在50歲以上。值得一提的是,駱薇薇與Jay Hyung Son均是美國籍。
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