長江存儲在美國起訴美光侵犯其11項專利
據(jù)外媒Tomshardware報道，中國3DNAND閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的11項專利，涉及3D NAND Flash 和 DRAM產(chǎn)品。
長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。
長江存儲指控稱，美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3DNAND Flash，以及美光的一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)，侵犯了長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。
2023年11月，長江存儲就曾在美起訴美光專利侵權，涉8項專利;2024年6月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。
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