一、區級工程技術研發中心建設扶持
申請條件：
(一)依托單位系在龍崗區注冊、納稅，具有獨立法人資格的國家高新技術企業。
(二)依托單位上一年度主營業務收入1億元以上，凈資產1000萬元以上，近兩年每年經稅務部門確認可加計扣除的研發費用500萬元以上。該中心的專業技術開發人員20人以上，中級職稱或碩士學歷以上人員不低于35%，高級職稱或博士學歷人員不低于10%。
(三)具備必要的科研(工藝)設備和場地等條件，及檢測、測試、分析手段。科研儀器、設備的原始購置價300萬元以上。
(四)所屬領域研發技術實力達到深圳市領先水平。
(五)同一項目未獲得國家、廣東省、深圳市各類創新平臺認定，且依托單位未獲得區級產品檢測中心建設扶持。
(六)近兩年主營業務收入正增長。
資助標準：
經評審符合條件的，認定為區級工程技術研發中心，一次性給予不超過建設投入 、最高 300 萬元扶持。
二、區級重點實驗室建設扶持
申請條件：
(一)依托單位系在龍崗區注冊、納稅，或登記地址在龍崗區具有獨立法人資格的事業單位、科研機構、高等院校。
(二)依托單位能夠為組建區級重點實驗室提供資金保障及必要的技術支撐、后勤保障和學術交流等配套條件，其中提供科研場地面積200平方米以上，科研儀器、設備的原始購置價500萬元以上(軟件類300萬元以上)。
(三)具備相應的科研實力及經費、人員和制度保障，具有承擔大型高新技術研究開發或產業化項目的能力。
(四)具有高水平的專職研究開發團隊。其中，教授級專業技術職稱或博士學歷的學術帶頭人1人以上;具備國家、省、市、區重大項目組織管理和協調能力的實驗室主任1人;碩士以上學歷的骨干科研人員2人以上，大學本科以上學歷科研人員5人以上，配有足夠的技術和服務人員。實驗室主任不得兼任其他區重點實驗室主任或副主任。
(五)同一項目未獲得國家、廣東省、深圳市各類創新平臺認定。
資助標準：
經評審符合條件的，認定為區級重點實驗室，一次性給予不超過建設投入 、最高 300 萬元扶持。
三、區級產品檢測中心建設扶持
申請條件：
(一)依托單位系在龍崗區注冊、納稅，具有獨立法人資格的企業，或登記地址在龍崗區的事業單位。
(二)具有國家級機構認定或授權的認證資格，能獨立完成檢測并出具報告。
(三)檢測服務對象是龍崗區鼓勵發展的產業或優勢傳統產業，且定位和發展方向明確，對科技創新有促進作用。
(四)檢測中心場地面積300平方米以上。
(五)科研、設計檢測等技術服務儀器、設備的原始購置價300萬元以上。
(六)配有相關業務專業技術人員和管理人員，專業技術人員10人以上。
(七)上一年度檢測服務收入500萬元以上。
(八)同一項目未獲得國家、廣東省、深圳市各類創新平臺認定，且依托單位未獲得區級工程技術研發中心或區級重點實驗室建設扶持。
(九)近兩年主營業務收入正增長。
資助標準：
經評審符合條件的，認定為區級產品檢測中心，一次性給予不超過建設投入 、最高 300 萬元扶持。
四、生物創造激勵
申請條件：
(一)在龍崗區注冊、納稅，具有獨立法人資格的科技型企業。
(二)申請激勵的新藥醫療臨床批件、醫療器械注冊證、醫療器械臨床試驗報告、藥品生產批件須為上一年首次獲得，且相應的產品為用于人體的藥物或醫療器械。
資助標準：
1. 新藥臨床批件。
(1)1、2 類新藥臨床批件激勵金額不超過 100 萬元/項。
(2)3 類新藥臨床批件激勵金額不超過 50 萬元/項。
(3)同一企業每年累計獲得激勵總額不超過上兩年度經稅務 部門確認可加計扣除研發費用總額的30%、最高 500 萬元。
2. 醫療器械注冊證。
(1)三類醫療器械注冊證激勵金額不超過 100 萬元/項。
(2)二類醫療器械注冊證激勵金額不超過 50 萬元/項。
(3)開展第三類醫療器械臨床試驗并取得臨床試驗報告 的，激勵金額不超過 50 萬元/項，同一產品只扶持 1 次。
(4)同一企業每年累計獲得激勵總額不超過上兩年度經稅務部門確認可加計扣除研發費用總額的30%、最高 500 萬元。
3. 藥品生產批件。
(1)藥品生產批件激勵金額不超過 100 萬元/項。
(2)同一企業每年累計獲得激勵總額不超過上兩年度經稅
務部門確認可加計扣除研發費用總額的30%、最高 500 萬元。
五、集成電路扶持
申請條件：
(一)在龍崗區注冊、納稅，具有獨立法人資格的集成電路設計企業。集成電路設計企業是指從事集成電路產品設計(含集成電路設計和軟件開發)的科技型企業。
(二)企業正常運營，研發活動正常開展。
資助標準：
1. 集成電路 IP(知識產權模塊)復用及 EDA 軟件扶持。
(1)給予不超過上一年使用正版 IP 或購買 EDA 軟件實際發生金額 、單個項目最高 100 萬元扶持。
(2)同一企業每年累計獲得的集成電路 IP(知識產權模塊) 復用及 EDA 軟件扶持總額不超過 300 萬元。
2. 流片扶持。
(1)給予不超過上一年 MPW 流片(含掩膜版)實際發生金額 、單個項目最高 100 萬元扶持。同一企業每年累計獲得扶持總額不超過 300 萬元。
(2)對于完成小于 90nm 全掩膜(Full Mask)工程產品流片的項目，給予不超過流片費用(含掩膜版 的扶持。其中，工藝制程小于 90nm、大于 45nm(不含)的，單個項目最高扶持50 萬元;小于 45nm、大于 28nm(不含)的，單個項目最高扶持200 萬元;小于 28nm 的，單個項目最高扶持 300 萬元。同一項目只扶持1 次，同一企業每年累計獲得扶持總額不超過500 萬元。
3. 測試驗證分析扶持。
(1)在龍崗區外測試驗證分析的，給予不超過上一年 IC 工程測試驗證、產品分析項目實際發生金額 、單個項目最高 50 萬元扶持。
(2)在龍崗區內測試驗證分析的，給予不超過上一年 IC 工程測試驗證、產品分析項目實際發生金額 、單個項目最高 50 萬元扶持。
(3)同一企業每年累計獲得扶持總額不超過 200 萬元。
4. 同一企業每年累計獲得上述集成電路扶持總額不超過600 萬元。
六、區級科技企業孵化器認定
申請條件：
(一)建設運營單位系在龍崗區注冊、納稅、統計，具有獨立法人資格的企業，或登記地址在龍崗區的事業單位、民辦非企業機構。
(二)性質、定位、發展方向明確，人員管理制度、財務管理制度等規章制度健全。
(三)建筑面積4000平方米以上，其中可用于孵化企業入駐的面積占比2/3以上，未來作為孵化器用途使用期限5年以上，場地具有合法產權，產權關系明晰。
(四)具有完善的商務、網絡、通訊等基本配套設施，可為孵化企業提供工商注冊、稅務登記、項目申報、信息交流、人才引進、企業推介、對外合作、資金籌措和技術開發等多方位服務。
(五)管理團隊具有較高的管理水平和運營能力，孵化器專職管理人員6人及以上，其中接受孵化器專業培訓人員3人及以上。
(六)建有嚴格的畢業及淘汰制度。
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