美國(guó)專利商標(biāo)局發(fā)布半導(dǎo)體試點(diǎn)項(xiàng)目

2023年12月1日，美國(guó)專利商標(biāo)局(USPTO)發(fā)布了半導(dǎo)體技術(shù)試點(diǎn)項(xiàng)目，旨在支持2022年芯片法案，加快對(duì)提高半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)量、降低半導(dǎo)體制造成本和加強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的創(chuàng)新專利申請(qǐng)的審查，以鼓勵(lì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的研究、開發(fā)和創(chuàng)新，提供公平的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，激勵(lì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的投資。

根據(jù)試點(diǎn)項(xiàng)目，半導(dǎo)體設(shè)備制造的某些工藝或裝置技術(shù)的合格申請(qǐng)將被提前審查(授予特殊地位)，直到專利審查員發(fā)出第一次審查意見通知書。申請(qǐng)人須使用規(guī)定的申請(qǐng)表及時(shí)提交特殊申請(qǐng)，申請(qǐng)?zhí)峤坏慕刂箷r(shí)間為2024年12月2日，或申請(qǐng)總數(shù)達(dá)到1000件之前(以較早者為準(zhǔn))。

具體要求：

(1)申請(qǐng)條件：非臨時(shí)申請(qǐng)且非繼續(xù)申請(qǐng);根據(jù)《美國(guó)法典》第35編第120、121、365(c)或386(c)條規(guī)定，主張1個(gè)優(yōu)先權(quán)或指定進(jìn)入美國(guó)國(guó)家階段的正式申請(qǐng)。

(2)技術(shù)要求：專利申請(qǐng)必須至少包含一項(xiàng)權(quán)利要求，該權(quán)利要求涉及制造半導(dǎo)體器件的工藝或裝置，并與合作專利分類(CPC)中的H10(半導(dǎo)體器件;未另作規(guī)定的固態(tài)電子器件)或H01L(不屬于H10類別的半導(dǎo)體器件)中的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)概念相對(duì)應(yīng)。

(3)申請(qǐng)方式：在提交申請(qǐng)或進(jìn)入國(guó)家階段時(shí)，必須通過(guò)專利中心(Patent Center)，以DOCX格式提交說(shuō)明書、權(quán)利要求書和摘要的電子文檔。

(4)申請(qǐng)時(shí)間：根據(jù)《美國(guó)法典》第35編第371條的規(guī)定提交申請(qǐng)/進(jìn)入國(guó)家階段，或在申請(qǐng)?zhí)峤蝗?進(jìn)入國(guó)家階段日后30天內(nèi)提交特別申請(qǐng)。

(5)提交材料：申請(qǐng)人必須附上PTO/SB/467表單(包含申請(qǐng)書及必須認(rèn)證文件)，并通過(guò)專利中心提交電子版。

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